全球最小的MOSFET：
CTLDM3590（20V，160毫安的，N-通道）
CTLDM7590（20V，140毫安的，P-通道）

MOSFET在TLM3D6D8包

这个包是0806，这是67％的电路板空间，并降低28％，比传统的1212（1.2毫米.2毫米，T =0.5毫米）金属氧化物半导体场效应晶体管的档案。
应用程序需要放低姿态，但更小的空间，更高的性能，例如便携设备，如智能手机和数码相机的理想选择。

描述
中央半导体的CTLDM3590（N沟道）和CTLDM7590（P沟道）的增强型MOSFET设计的应用，包括高速脉冲放大器和驱动程序。这些MOSFET的导通益低导通电阻RDS（ON），低阈值电压和非常低的栅极电荷特性。

特点
•高达2kV的ESD保护）
•低RDS（ON）
•低阈值电压
•低栅极电荷

应用
•负载/电源开关
•升压/降压转换器
•电池充电/电源管理

优点
•薄型
•节省空间
•能源效率

 CTLDM3590 datasheet
 CTLDM7590 datasheet