宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓电源管理器件的全球领先供应商，我们也是第一间公司推出增强型硅基氮化镓场效应晶体管，为电源管理应用中硅功率MOSFET的替代器件，其性能比最优异的硅功率MOSFET更超卓数倍。宜普公司的产品系列应用于各个领域包括负载点转换器、以太网供电、计算机市场的伺服器及直流-直流转换器、LED照明、手机、射频传送、太阳能微型逆变器及D类音频放大器等。

    宜普电源转换公司是由多位工程师在2007年创建。他们在先进功率管理器件方面一起共集结了60年相关的丰富经验。

    宜普公司的首席执行官Alex Lidow是 HEXFET® 功率MOSFET的共同发明者之一。除了曾负责研发及制造等职务，Alex Lidow曾任职国际整流器公司首席执行官12年。35年多以来，Alex的使命是致力开发全新半导体，以提高我们高效转换和使用能源的能力。

    在宜普公司成立之初，创始人就清楚地认识到硅产品已经达到了性能极限。同时，可能替代硅产品的就是氮化镓器件，但那个时候它在成本和器件功能方面还是存在着很大的问题。最初的宜普团队誓言要开发以高成本效益的GaN产品来替代功率MOSFET，这需要在制造、材料科学和器件物理性能方面作出重大创新。

 

    宜普公司在2009年6月推出了首批商用增强型GaN晶体管(eGaN®)，该产品在台湾的一家低成本代工厂制造，而这家工厂以前一直在生产标准硅CMOS产品。

 

  随着这个里程碑时刻的到来，宜普和整个电源管理行业开始了新的征程，有望为用户带来具附加值的全新设计功能。

 

  在要求更高效率、更小体积或更高工作频率的应用中，eGaN FET将会很快取代传统的功率MOSFET。宜普作为首家在市场上推出eGaN FET的公司，将继续带领eGaN FET的发展，为电源系统设计工程师提供硅功率MOSFET无法实现的性能。