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场效晶体管
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类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：5pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
